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NGW40T65M3DFPQ
IGBT, 72 A, 1.5 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
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| 10+ | CNY29.460 (CNY33.2898) |
| 100+ | CNY22.640 (CNY25.5832) |
| 500+ | CNY21.460 (CNY24.2498) |
| 1000+ | CNY19.580 (CNY22.1254) |
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产品概述
NGW40T65M3DFPQ is a 650V, 40A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V, 50A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
技术规格
连续集电极电流
72A
功率耗散
283W
晶体管封装类型
TO-247
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
集电极-发射极饱和电压
1.5V
最大集电极发射电压
650V
针脚数
3引脚
晶体管安装
通孔
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001