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NHDTA114ETVL
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 80 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY0.990 (CNY1.1187) |
| 100+ | CNY0.410 (CNY0.4633) |
| 500+ | CNY0.321 (CNY0.3627) |
| 1000+ | CNY0.233 (CNY0.2633) |
| 5000+ | CNY0.228 (CNY0.2576) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NHDTA114ETVL
库存编号3526157
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo80V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP80V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
晶体管封装类型TO-236AB
射频晶体管封装TO-236AB
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益hFE最小值50hFE
产品范围NHDTA114ET Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
80V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
TO-236AB
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益hFE最小值
50hFE
合规
AEC-Q101
MSL
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
80V
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
1电阻比率
射频晶体管封装
TO-236AB
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
NHDTA114ET Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000024