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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX3008CBKS,115
库存编号2069539RL
技术数据表
晶体管极性互补N与P沟道
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道30V
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续350mA
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道350mA
在电阻RDS(上)1ohm
连续漏极电流 Id P沟道350mA
漏源通态电阻N沟道1ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道1ohm
Rds(on)测试电压4.5V
晶体管封装类型SOT-363
阈值栅源电压最大值900mV
功耗 Pd280mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道280mW
耗散功率P沟道280mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The NX3008CBKS is a N/P-channel complementary enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for level shifter, power supply converter, load switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
技术规格
晶体管极性
互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道
30V
电流, Id 连续
350mA
连续漏极电流 Id N沟道
350mA
连续漏极电流 Id P沟道
350mA
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
280mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压, Vds
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS(上)
1ohm
漏源通态电阻N沟道
1ohm
漏源导通电阻P沟道
1ohm
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
280mW
耗散功率N沟道
280mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000005