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NX7002AKS,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 60 V, 170 mA, 170 mA, 3 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX7002AKS,115
库存编号3439883RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道60V
电流, Id 连续170mA
连续漏极电流 Id N沟道170mA
在电阻RDS（上）3ohm
连续漏极电流 Id P沟道170mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道3ohm
漏源导通电阻P沟道3ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.6V
晶体管封装类型TSSOP
功耗 Pd330mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道330mW
耗散功率P沟道330mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
60V
漏源电压Vds P沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
170mA
连续漏极电流 Id P沟道
170mA
漏源通态电阻N沟道
3ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
TSSOP
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
330mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
60V
电流, Id 连续
170mA
在电阻RDS（上）
3ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
3ohm
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
330mW
耗散功率N沟道
330mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001