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PBSS8110Z,135
单晶体管 双极, NPN, 100 V, 1 A, 650 mW, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS8110Z,135
库存编号8736677RL
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压100V
连续集电极电流1A
功率耗散650mW
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
针脚数4引脚
过渡频率-MHz
直流电流增益, Hfe 最小值150hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PBSS8110Z is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a surface-mount plastic package with increased heat-sink.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- Smaller required printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors
- PNP complement is PBSS9110Z
- PB8110 Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
1A
晶体管封装类型
SOT-223
针脚数
4引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
150hFE
产品范围
-
MSL
-
最大集电极发射电压
100V
功率耗散
650mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000154