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PDTB114ETR
晶体管 双极预偏置/数字, 单个PNP, 50 V, 500 mA, 10 kohm, 10 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.870 (CNY2.1131) |
| 10+ | CNY1.170 (CNY1.3221) |
| 100+ | CNY0.726 (CNY0.8204) |
| 500+ | CNY0.501 (CNY0.5661) |
| 1000+ | CNY0.367 (CNY0.4147) |
| 5000+ | CNY0.322 (CNY0.3639) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTB114ETR
库存编号3439952
产品范围PDTB1xxxT Series
技术数据表
晶体管极性单个PNP
数字晶体管极性单路PNP
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极连续电流500mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R110kohm
基极-发射极电阻R210kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型TO-236AB
射频晶体管封装TO-236AB
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散320mW
工作温度最高值175°C
直流电流增益, Hfe 最小值70hFE
产品范围PDTB1xxxT Series
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
单个PNP
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
500mA
连续集电极电流
500mA
基极-发射极电阻R2
10kohm
晶体管封装类型
TO-236AB
引脚数
3引脚
功率耗散
320mW
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
10kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
TO-236AB
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
175°C
产品范围
PDTB1xxxT Series
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001