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数量 | 价钱 (含税) |
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10+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
100+ | CNY0.525 (CNY0.5933) |
500+ | CNY0.422 (CNY0.4769) |
1000+ | CNY0.319 (CNY0.3605) |
5000+ | CNY0.293 (CNY0.3311) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTC144EQB-QZ
库存编号3868924
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R147kohm
电阻比 R1/R2-
基极-发射极电阻R247kohm
晶体管封装类型DFN1110D
射频晶体管封装DFN1110D
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散340mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值80hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
-
晶体管封装类型
DFN1110D
引脚数
3引脚
功率耗散
340mW
直流电流增益, Hfe 最小值
80hFE
合规
AEC-Q101
MSL
-
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
47kohm
基极-发射极电阻R2
47kohm
射频晶体管封装
DFN1110D
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.0006