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PDTD113ET,215
晶体管 双极预偏置/数字, 单个NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.180 (CNY2.4634) |
| 10+ | CNY1.330 (CNY1.5029) |
| 100+ | CNY0.831 (CNY0.939) |
| 500+ | CNY0.604 (CNY0.6825) |
| 1000+ | CNY0.534 (CNY0.6034) |
| 5000+ | CNY0.455 (CNY0.5142) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTD113ET,215
库存编号3439959
产品范围PDTD113E Series
技术数据表
晶体管极性单个NPN
数字晶体管极性单路NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流500mA
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R11kohm
电阻比 R1/R2-
基极-发射极电阻R21kohm
射频晶体管封装TO-236AB
晶体管封装类型TO-236AB
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值33hFE
产品范围PDTD113E Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
单个NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
500mA
连续集电极电流
500mA
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
TO-236AB
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益, Hfe 最小值
33hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
基极输入电阻 R1
1kohm
基极-发射极电阻R2
1kohm
晶体管封装类型
TO-236AB
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
PDTD113E Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001