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PMDXB600UNELZ
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDXB600UNELZ
库存编号2673081RL
产品范围Trench Series
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续600mA
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道600mA
在电阻RDS（上）0.47ohm
连续漏极电流 Id P沟道600mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.47ohm
漏源导通电阻P沟道0.47ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
晶体管封装类型DFN1010B
针脚数6引脚
功耗 Pd380mW
耗散功率N沟道380mW
耗散功率P沟道380mW
工作温度最高值150°C
产品范围Trench Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
600mA
连续漏极电流 Id N沟道
600mA
连续漏极电流 Id P沟道
600mA
漏源通态电阻N沟道
0.47ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN1010B
功耗 Pd
380mW
耗散功率P沟道
380mW
产品范围
Trench Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
0.47ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.47ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
380mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007