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PMDXB950UPEZ
双路场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMDXB950UPEZ
库存编号2498569RL
技术数据表
晶体管极性P沟道
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
电流, Id 连续500mA
在电阻RDS（上）1.02ohm
连续漏极电流 Id N沟道500mA
连续漏极电流 Id P沟道500mA
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道-
漏源导通电阻P沟道1.4ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
晶体管封装类型DFN1010B
功耗 Pd265mW
针脚数6引脚
耗散功率N沟道265mW
耗散功率P沟道265mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
技术规格
晶体管极性
P沟道
漏源电压, Vds
20V
漏源电压Vds P沟道
20V
在电阻RDS（上）
1.02ohm
连续漏极电流 Id P沟道
500mA
漏源通态电阻N沟道
-
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
DFN1010B
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
265mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
通道类型
P通道
漏源电压Vds N沟道
20V
电流, Id 连续
500mA
连续漏极电流 Id N沟道
500mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
1.4ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
功耗 Pd
265mW
耗散功率N沟道
265mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007