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PMGD175XNEX
双路场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMGD175XNEX
库存编号3440057RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续870mA
漏源电压Vds P沟道30V
在电阻RDS（上）0.211ohm
连续漏极电流 Id N沟道870mA
连续漏极电流 Id P沟道870mA
漏源通态电阻N沟道0.211ohm
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
漏源导通电阻P沟道0.211ohm
阈值栅源电压最大值1V
晶体管封装类型TSSOP
针脚数6引脚
功耗 Pd390mW
耗散功率N沟道390mW
耗散功率P沟道390mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
870mA
在电阻RDS（上）
0.211ohm
连续漏极电流 Id P沟道
870mA
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.211ohm
晶体管封装类型
TSSOP
功耗 Pd
390mW
耗散功率P沟道
390mW
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
连续漏极电流 Id N沟道
870mA
漏源通态电阻N沟道
0.211ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
390mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001