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PMGD280UN,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
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|---|---|
| 100+ | CNY0.814 (CNY0.9198) |
| 500+ | CNY0.695 (CNY0.7854) |
| 1500+ | CNY0.682 (CNY0.7707) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMGD280UN,115
库存编号1758098RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压, Vds20V
漏源电压Vds N沟道20V
电流, Id 连续200mA
漏源电压Vds P沟道-V
连续漏极电流 Id N沟道200mA
在电阻RDS（上）0.28ohm
连续漏极电流 Id P沟道-A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.28ohm
漏源导通电阻P沟道-ohm
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值700mV
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
功耗 Pd400mW
耗散功率N沟道400mW
耗散功率P沟道-W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PMGD280UN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
- Low threshold voltage
技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
20V
电流, Id 连续
200mA
连续漏极电流 Id N沟道
200mA
连续漏极电流 Id P沟道
-A
漏源通态电阻N沟道
0.28ohm
Rds(on)测试电压
4.5V
晶体管封装类型
SOT-363
功耗 Pd
400mW
耗散功率P沟道
-W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
20V
漏源电压Vds P沟道
-V
在电阻RDS（上）
0.28ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
-ohm
阈值栅源电压最大值
700mV
针脚数
6引脚
耗散功率N沟道
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000907