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PMGD780SN,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMGD780SN,115
库存编号2439742
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道60V
漏源电压Vds P沟道-
连续漏极电流 Id N沟道300mA
连续漏极电流 Id P沟道-
漏源通态电阻N沟道0.78ohm
漏源导通电阻P沟道-
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
耗散功率N沟道410mW
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PMGD780SN,115 is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using TrenchMOS™ technology. It is suitable for driver circuits and switching in portable appliances applications. The device offers 40% smaller footprint.
- Fast switching speed
- Low ON-state resistance
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id P沟道
-
漏源导通电阻P沟道
-
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
-
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
60V
连续漏极电流 Id N沟道
300mA
漏源通态电阻N沟道
0.78ohm
晶体管封装类型
SOT-363
耗散功率N沟道
410mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001