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PMV100EPAR
功率场效应管, MOSFET, P通道, 60 V, 2.2 A, 0.13 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 50+ | CNY2.010 (CNY2.2713) |
| 100+ | CNY1.480 (CNY1.6724) |
| 500+ | CNY0.979 (CNY1.1063) |
| 1500+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMV100EPAR
库存编号3438542
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续2.2A
漏源接通状态电阻0.13ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.5V
功率耗散710mW
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PMV100EPAR from NEXPERIA is a P Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) surface mounted device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable application: relay driver, high speed line driver, high side load switch and switching circuits
- Logic-level compatible
- Trench MOSFET technology
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.2A
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
710mW
工作温度最高值
175°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.13ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000038