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PMV20ENR
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, TO-236AB, 表面安装
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|---|---|
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| 500+ | CNY0.733 (CNY0.8283) |
| 1500+ | CNY0.719 (CNY0.8125) |
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产品概述
The PMV20ENR from NEXPERIA is a N Channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Suitable for Relay driver, High-speed line driver, Low-side load switch and Switching circuits
- Logic level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
6A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
510mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
0.021ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.5V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000726