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PMV65XPEAR
功率场效应管, MOSFET, P通道, 20 V, 2.8 A, 0.067 ohm, TO-236AB, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY3.390 (CNY3.8307) |
| 100+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 500+ | CNY1.520 (CNY1.7176) |
| 1000+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
| 5000+ | CNY0.960 (CNY1.0848) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMV65XPEAR
库存编号2498581
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds20V
电流, Id 连续2.8A
漏源接通状态电阻0.067ohm
晶体管封装类型TO-236AB
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值1V
功率耗散480mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMV65XPEA is a P-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, High-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching
- 890mW Enhanced power dissipation capability Ptot
- 2kV HBM ESD protection
- AEC-Q101 qualified
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
2.8A
晶体管封装类型
TO-236AB
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
480mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
20V
漏源接通状态电阻
0.067ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000048