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PMXB40UNEZ
功率场效应管, MOSFET, N通道, 12 V, 3.2 A, 0.034 ohm, DFN1010D, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMXB40UNEZ
库存编号2498585RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds12V
电流, Id 连续3.2A
漏源接通状态电阻0.034ohm
晶体管封装类型DFN1010D
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值650mV
功率耗散400mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The PMXB40UNE is a N-channel enhancement-mode FET in a leadless ultra-small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in high-side load switch and charging switch for portable devices, power management in battery driven portables, LED driver and DC-to-DC converter applications.
- Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
- 1.5kV ESD protection HBM
- 34mΩ Very low Drain-Source ON-state resistance RDS (ON)
- Very low threshold voltage of 0.65V for portable applications
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
3.2A
晶体管封装类型
DFN1010D
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
400mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
12V
漏源接通状态电阻
0.034ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
650mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006