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PRMD10Z
晶体管 双极预偏置/数字, NPN和PNP互补, 50 V, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 46.2 kohm
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|---|---|
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| 5000+ | CNY0.322 (CNY0.3639) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PRMD10Z
库存编号2785376RL
技术数据表
数字晶体管极性NPN和PNP执行
晶体管极性NPN和PNP互补
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP50V
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R12.2kohm
电阻比 R1/R20.05电阻比率
基极-发射极电阻R246.2kohm
射频晶体管封装DFN1412
晶体管封装类型DFN1412
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散480mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
产品范围-
合规AEC-Q101
汽车质量标准AEC-Q101
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
数字晶体管极性
NPN和PNP执行
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
0.05电阻比率
射频晶体管封装
DFN1412
引脚数
6引脚
功率耗散
480mW
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
合规
AEC-Q101
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
晶体管极性
NPN和PNP互补
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
2.2kohm
基极-发射极电阻R2
46.2kohm
晶体管封装类型
DFN1412
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000012