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PSMN012-80BS,118
功率场效应管, MOSFET, N通道, 80 V, 74 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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| 10+ | CNY12.710 (CNY14.3623) |
| 100+ | CNY10.120 (CNY11.4356) |
| 500+ | CNY9.920 (CNY11.2096) |
| 1000+ | CNY9.720 (CNY10.9836) |
| 5000+ | CNY9.520 (CNY10.7576) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN012-80BS,118
库存编号2112535
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds80V
电流, Id 连续74A
漏源接通状态电阻9000µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散148W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The PSMN012-80BS is a N-channel MOSFET suitable for standard level gate drive sources. It is designed and qualified for use in a wide range of load switching, server power supplies, DC-to-DC converters and domestic equipment applications.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
74A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
148W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
80V
漏源接通状态电阻
9000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001383