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PSMN1R1-40BS,118
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 120 A, 1300 µohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN1R1-40BS,118
库存编号2114711RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds40V
电流, Id 连续120A
漏源接通状态电阻1300µohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散306W
针脚数3引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN1R1-40BS 是一款N沟道MOSFET, 适用于标准电平栅极驱动源。设计用于负载开关, 服务器电源, DC-DC转换器, 家用设备等应用。
- 低损耗开关和传导, 高效率
- -55至175°C结温范围
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
120A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
306W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
1300µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001396