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PSMN2R4-30MLDX
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 70 A, 2000 µohm, SOT-1210, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN2R4-30MLDX
库存编号2400976
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续70A
漏源接通状态电阻2000µohm
晶体管封装类型SOT-1210
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散91W
针脚数5引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
PSMN2R4-30MLD是一款N沟道增强模式逻辑电平栅极驱动MOSFET，优化用于4.5V栅极驱动。NextPowerS3产品组合采用了NXP独特的SchottkyPlus技术，提供了高效率、低尖峰的性能，通常与具有集成肖基或类似肖基二极管的MOSFET相关，但没有存在问题的高漏电流。NextPowerS3特别适合于高开关频率的高效率应用。
- 超低的QG、QGD和QOSS，实现了高的系统效率，特别是在较高的开关频率下
- 带有软恢复功能的超快切换（s因子<gt/>1）
- 低尖峰和振铃，用于低EMI设计
- 独特的SchottkyPlus技术
- 类似肖特基的性能，在25°C时泄漏量<lt/>1µA
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性的夹子粘合和焊片连接电源SO8封装
- 无胶水，无导线连接，合格温度为175℃
- 可波峰焊，裸露的引线可实现最佳的视觉焊接检查
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
70A
晶体管封装类型
SOT-1210
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
91W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
2000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
5引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00003