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PSMN6R0-30YL,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 30 V, 73 A, 6000 µohm, SOT-669, 表面安装
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN6R0-30YL,115
库存编号1699709
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续73A
漏源接通状态电阻6000µohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散55W
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The PSMN6R0-30YL is a N-channel enhancement-mode logic level MOSFET in a plastic package using TrenchMOS® technology. It is designed and qualified for use in Class-D amplifiers, DC-to-DC converters and server power supply applications.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- Suitable for logic level gate drive sources
- -55 to 175°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
73A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
55W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
6000µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000349