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PSMN8R5-60YS,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 76 A, 5600 µohm, SOT-669, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 500+ | CNY5.580 (CNY6.3054) |
| 1000+ | CNY4.780 (CNY5.4014) |
| 5000+ | CNY4.690 (CNY5.2997) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PSMN8R5-60YS,115
库存编号1785625RL
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续76A
漏源接通状态电阻5600µohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值3V
功率耗散106W
针脚数4引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (25-Jun-2025)
产品概述
The PSMN8R5-60YS is a 60V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS (on) and low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.
- 175°C Junction temperature
- Improved mechanical and thermal characteristics
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
76A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
106W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
5600µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
3V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000896