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PUMB4,115
双极晶体管阵列, 双PNP, 50 V, 100 mA
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.600 (CNY1.808) |
| 10+ | CNY0.815 (CNY0.921) |
| 100+ | CNY0.530 (CNY0.5989) |
| 500+ | CNY0.375 (CNY0.4238) |
| 1000+ | CNY0.220 (CNY0.2486) |
| 5000+ | CNY0.179 (CNY0.2023) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PUMB4,115
库存编号8738289
技术数据表
晶体管极性双PNP
集电极发射极电压最大值NPN-V
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流NPN-A
连续集电极电流NPN100mA
耗散功率NPN-W
耗散功率PNP200mW
直流电流增益hFE最小值NPN-hFE
直流电流增益hFE最小值PNP200hFE
晶体管封装类型SOT-363
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-MHz
转换频率NPN-MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率PNP
200mW
直流电流增益hFE最小值PNP
200hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
-V
连续集电极电流NPN
-A
耗散功率NPN
-W
直流电流增益hFE最小值NPN
-hFE
晶体管封装类型
SOT-363
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006