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AFT05MS006NT1
晶体管, 射频FET, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY135.830 (CNY153.4879) |
| 5+ | CNY115.580 (CNY130.6054) |
| 10+ | CNY95.330 (CNY107.7229) |
| 50+ | CNY90.230 (CNY101.9599) |
| 100+ | CNY85.120 (CNY96.1856) |
| 250+ | CNY82.180 (CNY92.8634) |
包装规格：单件（切割供应）
最低: 1
多件: 1
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产品概述
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
技术规格
漏源电压, Vds
30VDC
功率耗散
128W
运行频率最大值
941MHz
针脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
136MHz
晶体管封装类型
PLD-1.5W
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003