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AFT05MS006NT1
晶体管, 射频FET, 30 VDC, 128 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号AFT05MS006NT1
库存编号2776258
技术数据表
漏源电压, Vds30VDC
电流, Id 连续-
功率耗散128W
工作频率最小值136MHz
运行频率最大值941MHz
晶体管封装类型PLD-1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
通道类型N通道
晶体管安装表面安装
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
技术规格
漏源电压, Vds
30VDC
功率耗散
128W
运行频率最大值
941MHz
针脚数
3引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
136MHz
晶体管封装类型
PLD-1.5W
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
MSL
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003