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AFT20S015GNR1
晶体管, 射频FET, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号AFT20S015GNR1
库存编号2890592RL
产品范围AFT20S015GN
技术数据表
漏源电压, Vds65V
电流, Id 连续-
功率耗散11W
工作频率最小值1.805GHz
运行频率最大值2.7GHz
晶体管封装类型TO-270G
针脚数2引脚
工作温度最高值150°C
通道类型N通道
晶体管安装表面安装
产品范围AFT20S015GN
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
技术规格
漏源电压, Vds
65V
功率耗散
11W
运行频率最大值
2.7GHz
针脚数
2引脚
通道类型
N通道
产品范围
AFT20S015GN
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.805GHz
晶体管封装类型
TO-270G
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
表面安装
MSL
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0003