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AFV10700HR5
晶体管, 射频FET, LDMOS, 105 VDC, 526 W, 1.03 GHz, 1.09 GHz, NI-780H
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY3,819.570 (CNY4,316.1141) |
| 5+ | CNY3,572.010 (CNY4,036.3713) |
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产品信息
制造商NXP
制造商产品编号AFV10700HR5
库存编号2805097
技术数据表
漏源电压, Vds105VDC
电流, Id 连续-
功率耗散526W
工作频率最小值1.03GHz
运行频率最大值1.09GHz
晶体管封装类型NI-780H
针脚数4引脚
工作温度最高值150°C
通道类型N通道
晶体管安装法兰
产品范围-
MSLMSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
漏源电压, Vds
105VDC
功率耗散
526W
运行频率最大值
1.09GHz
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.03GHz
晶体管封装类型
NI-780H
工作温度最高值
150°C
晶体管安装
法兰
MSL
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.013158