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BC847QASZ
双极晶体管阵列, 双NPN, 45 V, 100 mA, 350 mW
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 10+ | CNY0.985 (CNY1.1131) |
| 100+ | CNY0.670 (CNY0.7571) |
| 500+ | CNY0.523 (CNY0.591) |
| 1000+ | CNY0.383 (CNY0.4328) |
| 5000+ | CNY0.331 (CNY0.374) |
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最低: 5
多件: 5
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BC847QASZ
库存编号2498606
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN45V
集电极发射极电压最大值 PNP-
连续集电极电流NPN100mA
连续集电极电流NPN-
耗散功率NPN350mW
耗散功率PNP-
直流电流增益hFE最小值NPN200hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-
晶体管封装类型DFN1010B
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN100MHz
转换频率NPN-
产品范围-
合规AEC-Q101
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率PNP
-
直流电流增益hFE最小值PNP
-
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率NPN
350mW
直流电流增益hFE最小值NPN
200hFE
晶体管封装类型
DFN1010B
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
100MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007