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BC857BS,115
双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, 45 V, 100 mA
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| 500+ | CNY0.306 (CNY0.3458) |
| 1500+ | CNY0.300 (CNY0.339) |
| 3000+ | CNY0.286 (CNY0.3232) |
| 7500+ | CNY0.270 (CNY0.3051) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BC857BS,115
库存编号1081247
技术数据表
晶体管极性双PNP
集电极发射极电压最大值NPN-
集电极发射极电压最大值 PNP45V
连续集电极电流NPN-
连续集电极电流NPN100mA
耗散功率NPN-
耗散功率PNP200mW
直流电流增益hFE最小值NPN-
直流电流增益hFE最小值PNP200hFE
晶体管封装类型SC-88
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN100MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BC857BS is a PNP Dual Transistor features low collector capacitance, low collector-emitter saturation voltage and closely matched current gain. Suitable for general purpose switching and amplification applications.
- Reduces number of components and board space
- No mutual interference between transistors
警告
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技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率PNP
200mW
直流电流增益hFE最小值PNP
200hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
100MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
-
连续集电极电流NPN
-
耗散功率NPN
-
直流电流增益hFE最小值NPN
-
晶体管封装类型
SC-88
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Niger
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Niger
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006