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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BCM857DS,115
库存编号2439429
技术数据表
晶体管极性双PNP
集电极发射极电压最大值NPN-V
集电极发射极电压最大值 PNP45V
连续集电极电流NPN-A
连续集电极电流NPN100mA
耗散功率NPN-W
耗散功率PNP380mW
直流电流增益hFE最小值NPN-hFE
直流电流增益hFE最小值PNP290hFE
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-MHz
转换频率NPN175MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BCM857DS,115 is a dual PNP matched double Bipolar Transistor Array in a small surface-mount plastic package. The transistor is fully isolated internally and suitable for current mirror and differential amplifier.
- Current gain matching
- Base-emitter voltage matching
- Drop-in replacement for standard double transistors
技术规格
晶体管极性
双PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
45V
连续集电极电流NPN
100mA
耗散功率PNP
380mW
直流电流增益hFE最小值PNP
290hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
175MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
-V
连续集电极电流NPN
-A
耗散功率NPN
-W
直流电流增益hFE最小值NPN
-hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
BCM857DS,115 的替代之选
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.001