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BSP126,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 250 V, 300 mA, 5 ohm, SOT-223, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSP126,115
库存编号1758080
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds250V
电流, Id 连续300mA
漏源接通状态电阻5ohm
晶体管封装类型SOT-223
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2V
功率耗散1.5W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The BSP126,115 is a N-channel enhancement-mode vertical D-MOS Transistor in a miniature package. It is suitable for use in line current interrupter in telephone sets, relay, high-speed and line transformer driver applications.
- Direct interface to C-MOS, TTL
- High-speed switching
- No secondary breakdown
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
300mA
晶体管封装类型
SOT-223
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1.5W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
250V
漏源接通状态电阻
5ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2V
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000313