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BSS192,115
功率场效应管, MOSFET, P通道, 240 V, 200 mA, 12 ohm, SOT-89, 表面安装
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BSS192,115
库存编号1758088
技术数据表
通道类型P通道
漏源电压, Vds240V
电流, Id 连续200mA
漏源接通状态电阻12ohm
晶体管封装类型SOT-89
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.8V
功率耗散1W
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (25-Jun-2025)
产品概述
The BSS192,115 is a P-channel enhancement-mode vertical double-diffused FET in a medium power and flat lead surface-mount plastic package. The DMOSFET is suitable for relay driver, high-speed line driver, high -side load switch and switching circuit applications.
- Direct interface to Complementary (C-MOS) transistor and Transistor-Transistor Logic (TTL) devices
- Very fast switching
- No secondary breakdown
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
P通道
电流, Id 连续
200mA
晶体管封装类型
SOT-89
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (25-Jun-2025)
漏源电压, Vds
240V
漏源接通状态电阻
12ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.8V
针脚数
3引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BSS192,115 的替代之选
找到 2 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000109