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BUK7K6R8-40E,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
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|---|---|
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| 10+ | CNY9.180 (CNY10.3734) |
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| 500+ | CNY6.290 (CNY7.1077) |
| 1000+ | CNY5.030 (CNY5.6839) |
| 5000+ | CNY4.950 (CNY5.5935) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK7K6R8-40E,115
库存编号2215794
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道40V
漏源电压Vds P沟道40V
连续漏极电流 Id N沟道40A
连续漏极电流 Id P沟道40A
漏源通态电阻N沟道0.0058ohm
漏源导通电阻P沟道0.0058ohm
晶体管封装类型SOT-1205
针脚数8引脚
耗散功率N沟道64W
耗散功率P沟道64W
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
BUK7K6R8-40E是一款40V双N沟道MOSFET, 采用TrenchMOS技术。适用于要求苛刻的环境, 传输控制, 电机, 灯, 螺线管控制, 高性能电源开关等应用。
- 175°C 结温
- AEC-Q101合规
- 重复性雪崩评测
- 真正标准电平门VGS (th)额定值 <gt/> 1V (175°C)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
40V
连续漏极电流 Id P沟道
40A
漏源导通电阻P沟道
0.0058ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
64W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
40V
连续漏极电流 Id N沟道
40A
漏源通态电阻N沟道
0.0058ohm
晶体管封装类型
SOT-1205
耗散功率N沟道
64W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000111