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产品概述
BUK9Y4R8-60E是一款N沟道逻辑电平MOSFET, 采用TrenchMOS®技术。该器件符合AEC-Q101标准, 适用于高性能车用应用。
- 重复性雪崩评测
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 175°C, 真逻辑电平门VGS (th)额定值大于0.5V
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
238W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.0029ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
BUK9Y4R8-60E,115 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000133