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BUK9Y6R0-60E,115
功率场效应管, MOSFET, N通道, 60 V, 100 A, 0.004 ohm, SOT-669, 表面安装
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| 10+ | CNY9.270 (CNY10.4751) |
| 100+ | CNY6.710 (CNY7.5823) |
| 500+ | CNY6.400 (CNY7.232) |
| 1000+ | CNY6.090 (CNY6.8817) |
| 5000+ | CNY5.790 (CNY6.5427) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号BUK9Y6R0-60E,115
库存编号2319936
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds60V
电流, Id 连续100A
漏源接通状态电阻0.004ohm
晶体管封装类型SOT-669
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值1.7V
功率耗散195W
针脚数8引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (21-Jan-2025)
产品概述
BUK9Y6R0-60E 是一款N沟道逻辑电平MOSFET, 采用TrenchMOS®技术。该器件符合AEC-Q101标准, 适用于高性能车用应用。
- 重复性雪崩评测
- 175°C额定温度, 适用于高温环境
- 175°C, 真逻辑电平门VGS (th)额定值大于0.5V
- 结温范围: -55到175°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
195W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
60V
漏源接通状态电阻
0.004ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
8引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
BUK9Y6R0-60E,115 的替代之选
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.004749