打印页面
MGD3160AM515EK
栅极驱动器, 1 放大器, 隔离式, 高压侧和低压侧, IGBT, SiC MOSFET, 32 引脚, WSOIC
173 有货
需要更多？
42 件可于下一个工作日送达(Shanghai 库存)
131 件可于 5-6 个工作日内送达(英国 库存)
| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY68.960 (CNY77.9248) |
| 10+ | CNY60.340 (CNY68.1842) |
| 25+ | CNY50.000 (CNY56.500) |
| 50+ | CNY49.000 (CNY55.370) |
| 100+ | CNY48.000 (CNY54.240) |
| 250+ | CNY47.000 (CNY53.110) |
| 500+ | CNY46.000 (CNY51.980) |
包装规格：每个
最低: 1
多件: 1
CNY68.96 (CNY77.92 含税)
添加部件编号/注释行
此订单的信息已添加到您的订单确认邮件、发票和发货通知中。
该代码将添加到订单确认、发票、发货通知、订单确认电子邮件和产品标签中。
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MGD3160AM515EK
库存编号4063629
技术数据表
通道数1放大器
栅极驱动器类型隔离式
驱动配置高压侧和低压侧
电源开关类型IGBT, SiC MOSFET
针脚数32引脚
IC 外壳 / 封装WSOIC
芯片安装表面安装
输入类型反相
拉电流15A
灌电流15A
电源电压最小值4.75V
电源电压最大值40V
工作温度最小值-40°C
工作温度最高值125°C
输入延迟-
输出延迟-
产品范围-
合规AEC-Q100
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MGD3160AM515EK 是 GD3160 系列高级单通道栅极驱动器，设计用于驱动 xEV 牵引逆变器、OBC 和 DC-DC 转换器中的最新 SiC 和 IGBT 模块。它提供集成电隔离、通过 SPI 的可编程接口以及先进的可编程保护功能，如过热、失饱和和电流感应保护。它能够直接驱动 SiC MOSFET 和 IGBT 栅极：其高栅极电流和可编程栅极驱动电压功能可提供高性能开关、低动态导通电阻和轨至轨栅极电压控制。通过了 DIN VDE V 0884-10 加强隔离、UL 1577 耐 5000V rms（1 分钟）隔离、CSA 组件验收通知 5A、AEC-Q100 1 级汽车认证等安全和法规认证。
- 集成电隔离信号，集成高栅极电流： 15A 源/灌流能力
- 用于安全监控、配置和诊断报告的 SPI 接口
- 支持高开关频率： PWM 频率高达 100kHz，VGE 实时逐周期监控
- 从低压和高压域进行故障安全状态管理，用户可选择安全状态
- 扩展范围的可编程栅极电压调节器，死区时间强制执行
- 温度感应与 NTC 和 PTC 热敏电阻兼容
- 集成软关断功能，两级关断，针对 SiC 独特的栅极驱动要求进行了优化
- 集成 ADC，用于监控高压域参数，CMTI <gt/> 100V/ns
- 工作温度范围为 -40°C 至 125°C，小型封装（8 mm x 13 mm）32 针 SOIC
- 内置所有模拟和数字电路的自检功能
技术规格
通道数
1放大器
驱动配置
高压侧和低压侧
针脚数
32引脚
芯片安装
表面安装
拉电流
15A
电源电压最小值
4.75V
工作温度最小值
-40°C
输入延迟
-
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
栅极驱动器类型
隔离式
电源开关类型
IGBT, SiC MOSFET
IC 外壳 / 封装
WSOIC
输入类型
反相
灌电流
15A
电源电压最大值
40V
工作温度最高值
125°C
输出延迟
-
合规
AEC-Q100
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00031