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MRFE6VP5150GNR1
晶体管, 射频FET, LDMOS, 139 V, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WBG
不再進貨
产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MRFE6VP5150GNR1
库存编号2985235RL
技术数据表
漏源电压, Vds139V
电流, Id 连续-
功率耗散952W
工作频率最小值1.8MHz
运行频率最大值600MHz
晶体管封装类型TO-270WBG
针脚数4引脚
工作温度最高值225°C
通道类型N通道
晶体管安装表面安装
产品范围-
湿气敏感性等级MSL 3 - 168小时
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
- RF power LDMOS transistor
- Wide operating frequency range from 1.8 to 600MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection circuitry
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
漏源电压, Vds
139V
功率耗散
952W
运行频率最大值
600MHz
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
TO-270WBG
工作温度最高值
225°C
晶体管安装
表面安装
湿气敏感性等级
MSL 3 - 168小时
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.007749