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MRFE6VP6300HR5
晶体管, 射频FET, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780
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|---|---|
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| 5+ | CNY1,051.170 (CNY1,187.8221) |
| 10+ | CNY990.350 (CNY1,119.0955) |
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产品信息
制造商NXP
制造商产品编号MRFE6VP6300HR5
库存编号2776250
技术数据表
漏源电压, Vds130VDC
电流, Id 连续-
功率耗散1.05kW
工作频率最小值1.8MHz
运行频率最大值600MHz
晶体管封装类型NI-780
针脚数4引脚
工作温度最高值225°C
通道类型N通道
晶体管安装法兰
产品范围-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate--source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large--signal impedance parameters
技术规格
漏源电压, Vds
130VDC
功率耗散
1.05kW
运行频率最大值
600MHz
针脚数
4引脚
通道类型
N通道
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
电流, Id 连续
-
工作频率最小值
1.8MHz
晶体管封装类型
NI-780
工作温度最高值
225°C
晶体管安装
法兰
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.008165