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NX3008NBK,215
功率场效应管, MOSFET, 带沟, N通道, 30 V, 400 mA, 1.4 ohm, SOT-23, 表面安装
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY1.800 (CNY2.034) |
| 10+ | CNY1.080 (CNY1.2204) |
| 100+ | CNY0.643 (CNY0.7266) |
| 500+ | CNY0.412 (CNY0.4656) |
| 1000+ | CNY0.225 (CNY0.2542) |
| 5000+ | CNY0.195 (CNY0.2204) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号NX3008NBK,215
库存编号2069541
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds30V
电流, Id 连续400mA
漏源接通状态电阻1.4ohm
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压4.5V
阈值栅源电压最大值900mV
功率耗散350mW
针脚数3引脚
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规AEC-Q101
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The NX3008NBK from NXP is a surface mount, 30V N channel enhancement mode field effect transistor in SOT-23 (TO-236AB) package using TrenchMOS technology. This transistor features very high speed switching, low threshold voltage and ESD protection up to 2KV. This device is used as relay driver, high speed line drivers, low side load switch.
- Automotive grade AEC-Q101 qualified
- Drain to source voltage (Vds) of 30V
- Gate to source voltage of ±8V
- Drain current (Id) of 400mA
- Power dissipation (pd) of 350mW
- Ambient temperature range from -55°C to 150°C
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
400mA
晶体管封装类型
SOT-23
Rds(on)测试电压
4.5V
功率耗散
350mW
工作温度最高值
150°C
合规
AEC-Q101
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
30V
漏源接通状态电阻
1.4ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
900mV
针脚数
3引脚
产品范围
-
MSL
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007