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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBLS6023D,115
库存编号1829333
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN60V
集电极发射极电压最大值 PNP60V
连续集电极电流NPN1.5A
连续集电极电流NPN1.5A
耗散功率NPN480mW
耗散功率PNP480mW
直流电流增益hFE最小值NPN285hFE
直流电流增益hFE最小值PNP285hFE
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN-
转换频率NPN150MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PBLS6023D is a 1.5A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- Low VCEsat and resistor-equipped transistor in one package
- Space-saving solution
- Reduction of component count
- AEC-Q101 qualified
- Low threshold voltage (<lt/>1V) compared to MOSFET
- KG Marking code
警告
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技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
60V
连续集电极电流NPN
1.5A
耗散功率PNP
480mW
直流电流增益hFE最小值PNP
285hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
150MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
60V
连续集电极电流NPN
1.5A
耗散功率NPN
480mW
直流电流增益hFE最小值NPN
285hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
-
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000011