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PBSS4140DPN,115
双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4140DPN,115
库存编号8739900
技术数据表
晶体管极性NPN, PNP
集电极发射极电压最大值NPN40V
集电极发射极电压最大值 PNP40V
连续集电极电流NPN1A
连续集电极电流NPN1A
耗散功率NPN370mW
耗散功率PNP370mW
直流电流增益hFE最小值NPN300hFE
直流电流增益hFE最小值PNP300hFE
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN150MHz
转换频率NPN150MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PBSS4140DPN is a NPN-PNP low VCEsat Bipolar Transistor Array in a plastic package replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area. It is suitable for use in general purpose switching and muting, LCD backlighting, supply line switching circuits, battery driven equipment in mobile phones, video cameras and hand-held devices.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High current capability
- Improved device reliability due to reduced heat generation
- Reduces required PCB area
技术规格
晶体管极性
NPN, PNP
集电极发射极电压最大值 PNP
40V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率PNP
370mW
直流电流增益hFE最小值PNP
300hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
150MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
40V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率NPN
370mW
直流电流增益hFE最小值NPN
300hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
150MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00007