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PBSS4160DS,115
双极晶体管阵列, 双NPN, 60 V, 1 A, 420 mW
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 5+ | CNY2.870 (CNY3.2431) |
| 10+ | CNY1.840 (CNY2.0792) |
| 100+ | CNY1.250 (CNY1.4125) |
| 500+ | CNY0.948 (CNY1.0712) |
| 1000+ | CNY0.854 (CNY0.965) |
| 5000+ | CNY0.759 (CNY0.8577) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4160DS,115
库存编号1757960
技术数据表
晶体管极性双NPN
集电极发射极电压最大值NPN60V
集电极发射极电压最大值 PNP-V
连续集电极电流NPN1A
连续集电极电流NPN-A
耗散功率NPN420mW
耗散功率PNP-W
直流电流增益hFE最小值NPN500hFE
直流电流增益hFE最小值PNP-hFE
晶体管封装类型SOT-457
针脚数6引脚
晶体管安装表面安装
工作温度最高值150°C
转换频率NPN220MHz
转换频率NPN-MHz
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PBSS4160DS,115 is a dual NPN breakthrough small signal (BISS) Bipolar Transistor Array in a surface-mount plastic package. It is suitable for dual low power switch applications. It utilizes required smaller printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- PBSS5160DS dual PNP complement
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射极电压最大值 PNP
-V
连续集电极电流NPN
-A
耗散功率PNP
-W
直流电流增益hFE最小值PNP
-hFE
针脚数
6引脚
工作温度最高值
150°C
转换频率NPN
-MHz
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
集电极发射极电压最大值NPN
60V
连续集电极电流NPN
1A
耗散功率NPN
420mW
直流电流增益hFE最小值NPN
500hFE
晶体管封装类型
SOT-457
晶体管安装
表面安装
转换频率NPN
220MHz
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000006