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PBSS4230T,215
单晶体管 双极, NPN, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
产品概述
The PBSS4230T is a 2A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a plastic package providing ultra-low VCEsat and RCEsat parameters. It is suitable for use with the peripheral driver of driver in low supply voltage applications and inductive load drivers.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High efficiency leading to less heat generation
- Reduced printed-circuit board requirements
- PNP complement is PBSS5230T
- 3D Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
470hFE
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
30V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
230MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008