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PBSS4320T,215
单晶体管 双极, NPN, 20 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, 表面安装
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| 50+ | CNY1.630 (CNY1.8419) |
| 100+ | CNY1.300 (CNY1.469) |
| 500+ | CNY0.765 (CNY0.8644) |
| 1500+ | CNY0.750 (CNY0.8475) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PBSS4320T,215
库存编号8736286
技术数据表
晶体管极性NPN
最大集电极发射电压20V
连续集电极电流2A
功率耗散300mW
晶体管封装类型SOT-23
晶体管安装表面安装
针脚数3引脚
过渡频率-MHz
直流电流增益, Hfe 最小值220hFE
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PBSS4320T is a NPN low VCEsat Transistor housed in a surface-mount plastic package. It is suitable for use with the linear voltage regulation with low voltage drop-out (LDO).
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
- High collector current capability
- High collector current gain
- Improved efficiency due to reduced heat generation
- PNP complement is PBSS5320T
- ZG Marking code
技术规格
晶体管极性
NPN
连续集电极电流
2A
晶体管封装类型
SOT-23
针脚数
3引脚
直流电流增益, Hfe 最小值
220hFE
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
最大集电极发射电压
20V
功率耗散
300mW
晶体管安装
表面安装
过渡频率
-MHz
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000008