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PDTB113ZT,215
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个PNP, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTB113ZT,215
库存编号2439570
产品范围PDTB113Z Series
技术数据表
数字晶体管极性单路PNP
晶体管极性单个PNP
集电极发射电压, Vceo-50V
集电极发射极电压最大值NPN-V
集电极连续电流-500mA
集电极发射极电压最大值 PNP50V
连续集电极电流500mA
基极输入电阻 R11kohm
电阻比 R1/R2-
基极-发射极电阻R210kohm
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值70hFE
产品范围PDTB113Z Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
PDTB113ZT 是一款1到10kΩ PNP 配电阻晶体管(RET), 采用小型表面安装塑料封装。
- 减少取放成本
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少组件数量
- AEC-Q101合规
- ±10%电阻比公差
- NPN款式为 PDTD113ZT
- 7W 标记编码
技术规格
数字晶体管极性
单路PNP
集电极发射电压, Vceo
-50V
集电极连续电流
-500mA
连续集电极电流
500mA
电阻比 R1/R2
-
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益, Hfe 最小值
70hFE
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
晶体管极性
单个PNP
集电极发射极电压最大值NPN
-V
集电极发射极电压最大值 PNP
50V
基极输入电阻 R1
1kohm
基极-发射极电阻R2
10kohm
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
PDTB113Z Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.001