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PDTC143ET,215
晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 单个NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
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| 50+ | CNY0.424 (CNY0.4791) |
| 100+ | CNY0.273 (CNY0.3085) |
| 500+ | CNY0.163 (CNY0.1842) |
| 1500+ | CNY0.160 (CNY0.1808) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PDTC143ET,215
库存编号2319267
技术数据表
数字晶体管极性单路NPN
晶体管极性单个NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极发射极电压最大值 PNP-
集电极连续电流100mA
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
电阻比 R1/R21电阻比率
基极-发射极电阻R24.7kohm
晶体管封装类型SOT-23
射频晶体管封装SOT-23
引脚数3引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散250mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值30hFE
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
MSL-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
PDTC143ET,215 是一款NPN晶体管带电阻器 (RET), 表面安装塑料封装。配有内置偏置电阻器, 简化电路设计。设计用于控制IC输入, 适用于数字应用和开关负载应用, 可替代BC847/857系列产品。
- 100mA 输出电流能力
- 减少组件数量
- AEC-Q101合规
技术规格
数字晶体管极性
单路NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-
连续集电极电流
100mA
电阻比 R1/R2
1电阻比率
晶体管封装类型
SOT-23
引脚数
3引脚
功率耗散
250mW
直流电流增益, Hfe 最小值
30hFE
合规
-
MSL
-
晶体管极性
单个NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极连续电流
100mA
基极输入电阻 R1
4.7kohm
基极-发射极电阻R2
4.7kohm
射频晶体管封装
SOT-23
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
PDTC143ET,215 的替代之选
找到 5 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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产品合规证书
重量（千克）：.000073