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数量 | 价钱 (含税) |
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10+ | CNY2.190 (CNY2.4747) |
100+ | CNY1.390 (CNY1.5707) |
500+ | CNY1.010 (CNY1.1413) |
1000+ | CNY0.833 (CNY0.9413) |
5000+ | CNY0.656 (CNY0.7413) |
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PEMH13,115
库存编号1758018
产品范围PEMH13 Series
技术数据表
晶体管极性双NPN
数字晶体管极性双路 NPN
集电极发射电压, Vceo50V
集电极发射极电压最大值NPN50V
集电极连续电流100mA
集电极发射极电压最大值 PNP-V
连续集电极电流100mA
基极输入电阻 R14.7kohm
基极-发射极电阻R247kohm
电阻比 R1/R2-
晶体管封装类型SOT-666
射频晶体管封装SOT-666
引脚数6引脚
晶体管安装表面安装
功率耗散300mW
工作温度最高值150°C
直流电流增益, Hfe 最小值100hFE
产品范围PEMH13 Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PEMH13,115 is a 4.7 to 47kΩ NPN-NPN Resistor Equipped Transistor (RET) in an ultra-small and flat lead surface-mount plastic package.
- Reduces component count
- Built-in bias resistors
- Reduces pick and place costs
- Simplifies circuit design
- AEC-Q101 qualified
- NPN-PNP complement is PEMD13
- PNP-PNP complement is PEMB13
- 21 Marking code
技术规格
晶体管极性
双NPN
集电极发射电压, Vceo
50V
集电极连续电流
100mA
连续集电极电流
100mA
基极-发射极电阻R2
47kohm
晶体管封装类型
SOT-666
引脚数
6引脚
功率耗散
300mW
直流电流增益, Hfe 最小值
100hFE
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
数字晶体管极性
双路 NPN
集电极发射极电压最大值NPN
50V
集电极发射极电压最大值 PNP
-V
基极输入电阻 R1
4.7kohm
电阻比 R1/R2
-
射频晶体管封装
SOT-666
晶体管安装
表面安装
工作温度最高值
150°C
产品范围
PEMH13 Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Hong Kong
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.000006