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PMCPB5530X,115
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
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产品信息
制造商NEXPERIA
制造商产品编号PMCPB5530X,115
库存编号2311188
技术数据表
通道类型互补N与P沟道
漏源电压Vds N沟道20V
漏源电压Vds P沟道20V
连续漏极电流 Id N沟道5.3A
连续漏极电流 Id P沟道5.3A
漏源通态电阻N沟道0.026ohm
漏源导通电阻P沟道0.026ohm
晶体管封装类型SOT-1118
针脚数8引脚
耗散功率N沟道1.17W
耗散功率P沟道1.17W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
The PMCPB5530X is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
技术规格
通道类型
互补N与P沟道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
5.3A
漏源导通电阻P沟道
0.026ohm
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
1.17W
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
5.3A
漏源通态电阻N沟道
0.026ohm
晶体管封装类型
SOT-1118
耗散功率N沟道
1.17W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000007