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PMDT290UNE,115
双路场效应管, MOSFET, N通道, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
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| 100+ | CNY1.430 (CNY1.6159) |
| 500+ | CNY1.070 (CNY1.2091) |
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| 5000+ | CNY0.576 (CNY0.6509) |
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产品概述
The PMDT290UNE is a dual N-channel enhancement-mode FET in an ultra small and flat lead surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- ESD protection up to 2kV
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds P沟道
20V
连续漏极电流 Id P沟道
800mA
漏源导通电阻P沟道
0.29ohm
针脚数
6引脚
耗散功率P沟道
500mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
漏源电压Vds N沟道
20V
连续漏极电流 Id N沟道
800mA
漏源通态电阻N沟道
0.29ohm
晶体管封装类型
SOT-666
耗散功率N沟道
500mW
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.000165