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PSMN1R0-40YLDX
功率场效应管, MOSFET, N通道, 40 V, 100 A, 930 µohm, SOT-669, 表面安装
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| 10+ | CNY10.390 (CNY11.7407) |
| 100+ | CNY8.450 (CNY9.5485) |
| 500+ | CNY8.000 (CNY9.040) |
| 1000+ | CNY7.070 (CNY7.9891) |
| 5000+ | CNY6.940 (CNY7.8422) |
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产品概述
The PSMN1R0-40YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET designed using advanced TrenchMOS® Superjunction technology. It is designed and qualified for high performance power switching applications.
- NextPower-S3 technology delivers superfast switching with soft recovery
- Low QRR, QG and QGD for high system efficiency and low EMI designs
- Schottky-plus body-diode, gives soft switching without the associated high IDSS leakage
- Optimised for 4.5V gate drive utilising NextPower-S3 Superjunction technology
- High reliability LFPAK package, copper-clip, solder die attach and qualified to 150°C
- Exposed leads can be wave soldered, visual solder joint inspection and high quality solder joints
- Low parasitic inductance and resistance
- -55 to 150°C Junction temperature range
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
100A
晶体管封装类型
SOT-669
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
198W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
40V
漏源接通状态电阻
930µohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
1.7V
针脚数
4引脚
产品范围
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
PSMN1R0-40YLDX 的替代之选
找到 7 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00001